大功率SiC-MOSFET 模块驱动技术研究

周帅; 张小勇; 饶沛南; 张庆; 施洪亮

doi:10.13890/j.issn.1000-128x.2018.02.006

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大功率SiC-MOSFET 模块驱动技术研究

研究开发 | 更新时间：2021-12-13

- 大功率SiC-MOSFET 模块驱动技术研究
- Research on the Techniques of High Power SiC-MOSFET Driver
- 机车电传动 2018年第2期页码：26-31
- 作者机构：
  
  1. 株洲中车时代电气股份有限公司,湖南,株洲,412001
  2. 变流技术国家工程研究中心,湖南,株洲,412001
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13890/j.issn.1000-128x.2018.02.006
  中图分类号：
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周帅, 张小勇, 饶沛南, 等. 大功率SiC-MOSFET 模块驱动技术研究[J]. 机车电传动, 2018,(2):26-31.

ZHOU Shuai, ZHANG Xiaoyong, RAO Peinan, et al. Research on the Techniques of High Power SiC-MOSFET Driver[J]. Electric Drive for Locomotives, 2018,(2):26-31.
周帅, 张小勇, 饶沛南, 等. 大功率SiC-MOSFET 模块驱动技术研究[J]. 机车电传动, 2018,(2):26-31. DOI： 10.13890/j.issn.1000-128x.2018.02.006.

ZHOU Shuai, ZHANG Xiaoyong, RAO Peinan, et al. Research on the Techniques of High Power SiC-MOSFET Driver[J]. Electric Drive for Locomotives, 2018,(2):26-31. DOI： 10.13890/j.issn.1000-128x.2018.02.006.

摘要

为适应SiC-MOSFET 相比Si-IGBT 具有更快的开关速度、更低的工作损耗，同时开通阈值电压较低、短路耐量较弱等特点，研究了与其匹配的驱动技术。主要对漏极电压有源钳位、电路桥臂串扰抑制、过流检测等若干SiC-MOSFET 驱动技术进行研究，并基于三菱大功率SiC-MOSFET 模块开发配套驱动进行测试。结果表明，该驱动所采用的镜像电流检测法能快速有效地对SiC-MOSFET 模块进行过流检测与保护，同时漏极电压有源钳位能及时有效抑制大电流关断所产生的电压尖峰。

Abstract

In order to adapt to the characteristics of SiC-MOSFET, such as faster switching speed, lower loss but lower threshold voltage and weaker short-circuit capacity compared to Si-IGBT, the key techniques of SiC-MOSFET driver was analyzed, including drain voltage active clamping, bridge-arm crosstalk suppression, and over-current detection etc, as well as the test aiming at the driver for Mitsubishi SiC-MOSFET module. The results showed that the mirror-current sensing method could give a good protection for SiCMOSFET, and the active clamping could reduce the high voltage surges across the high current turned-off.

关键词

SiC-MOSFET米勒效应桥臂串扰有源钳位过流检测

Keywords

SiC-MOSFETMiller effectbridge-arm crosstalkactive clampuingover-current detection

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