[功率半导体技术]栏目下的文章目录
轨道交通用功率半导体器件应用技术的研究 [1－8]
漆 宇，窦泽春，丁荣军
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.001
轨道交通用IGBT器件寿命预测技术综述 [9－12]
王 彬，曹 琳
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.002
机车IGBT模块应用失效研究 [13－17]
刘敏安，向 华，徐丽宾，马 瑶
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.101
IGBT模块与散热器接触界面气隙对散热的影响研究 [18－21]
杨闳盛1，宋郭蒙2，王 雄2
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.004
基于高效扰流技术的IGBT双面冷却散热器性能优化研究 [22－27]
宋郭蒙，王 雄，王幸智，黄 南，吴智勇
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.005
基于SiC MOSFET的牵引逆变器在轨道交通中的应用研究 [28－33]
杨 涛，窦泽春，朱 武，胡 亮，王幸智，杨德勇
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.006
3 300 V全SiC MOSFET功率器件开关特性研究 [34－37]
孙康康，陈燕平，忻兰苑，王晓年，余开庆，胡长风
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.007
SiC功率器件在轨道交通行业中的应用 [38－44]
赵 炫1，蒋 栋1，刘自程1，马颖涛2，王江峰2
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.100
4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析 [45－48]
曾 亮1 ，王翠霞1，吴江枫1，余有灵1，李诚瞻2，杜 星1
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.009
基于SiC MOSFET非线性电容CGD的Matlab电路仿真模型 [49－52]
杜 星1，王翠霞1，余有灵1，吴江枫1，刘 坤2，李思思1
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DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.010